一般講演：合計 15分(講演10分、質疑応答4分、交代1分)
第41回強誘電体会議（FMA41）は現地会場(京都産業会館ホール)のみでの開催となります。発表に関するガイドラインについては、後日アップロード致します。
FMA41ガイドライン
【注意】
会場内での撮影、録音、録画は禁止です。
必要な場合は、発表者や主催者等、事前にすべての関係者に許可を得てください。
強誘電体会議優秀発表賞について
強誘電体会議は、将来の誘電体関連分野を担う優秀な若手研究者の研究を奨励し、本会議をより活性化するために優秀発表賞を設けています。下記の審査対象者のうち上位の者を授賞者とします。
強誘電体会議学生優秀発表賞について
第39回FMA（2022年）より、学生の方を対象とした学生優秀発表賞を設けています。選考は一般の優秀発表賞の枠組みの中で行い、下記の審査対象者のうち上位の者を授賞者とします。学生の方は（最）優秀発表賞または学生（最）優秀発表賞のいずれか一方にのみ応募できます。本賞の受賞は、将来の（最）優秀発表賞の受賞を妨げません。
強誘電体会議 最優秀発表賞・優秀発表賞および学生最優秀発表賞・学生優秀発表賞規定
- 【審査対象者】
- 本賞の審査対象者は、以下の5つ（学生は6つ）の条件をすべて満たす方とします（規定 第4条）。
- FMAを開催する年の4月1日時点で満42歳以下の者であること。
- 講演申込み時において、演題の筆頭著者あるいは責任著者であり、かつ本賞に応募した者であること。ただし、学生は（最）優秀発表賞または学生（最）優秀発表賞のいずれか一方にのみ応募できるものとする。
- 応募登録された筆頭著者あるいは責任著者で、かつ実際に登壇した者であること。
- 締切日までにJJAP特集号に論文投稿し、当該論文が受理かつ査読された投稿者であること。
- 最優秀発表賞を受賞していない者であること。ただし、学生最優秀発表賞を受賞した者は、（最）優秀発表賞への応募は可能とする。
- 応募登録者が学生である場合には、学生最優秀発表賞および学生優秀発表賞の対象とする。ただし、社会人学生は学生（最）優秀発表賞の審査対象から除外する。
応募希望の方は、発表申込フォームに欄を設けておりますので、「応募する（一般）」または「応募する（学生）」のいずれかを選択し、「生年月日」をご記入ください。
なお、授賞者は会議終了後半年程度で本ウェブサイトにて発表します。
賞の授与は次回会議の懇親会上で行います。
第40回(2023年度) 優秀発表賞受賞者
運営委員会における厳正な審査の結果、 以下の発表に対し、最優秀発表賞・優秀発表賞、ならびに学生最優秀発表賞・学生優秀発表賞を授与することが決定いたしました。
【最優秀発表賞】
塚田真也（島根大学）
温度勾配と強誘電性相転移
【優秀発表賞】
森川大輔（東北大学）
BaTiO3の90度ドメイン壁における分極の空間変化の直接観測
松尾拓紀（熊本大学）
BiFeO3系強誘電体薄膜の可視域偏光検出特性
【学生最優秀発表賞】
内藤圭吾（大阪公立大学）
ワイドバンドギャップ半導体Ga2O3基板上へのHfxZr1-xO2薄膜のALD成長
【学生優秀発表賞】
中畑美紀（東京工業大学）
正方晶Pb(Zr,Ti)O3膜における内因的及び外因的な圧電応答の膜厚依存性